Революция ИИ морит голодом собственный тыл
Каждый кристалл HBM, сердце ИИ-ускорителей, заметно менее плотный, чем обычная микросхема DRAM: та же ёмкость в битах занимает почти втрое больше площади кремния, потому что добавляются слои логики, соединения TSV и худший выход годных. В итоге, когда Samsung, SK Hynix и Micron перенаправляют всё больше пластинных мощностей на HBM и新 новейший DDR5, с рынка уходит непропорционально большая доля предложения обычной памяти.