Разворот большой тройки в сторону HBM высасывает производственные мощности обычной памяти DRAM, поэтому дефицит и дорожающий DDR4 подтягивают маржу тайваньских производителей legacy-чипов.
Each one is a statement that has to be true. When a filing says otherwise, the thesis is in trouble, and this is where we say so.
Samsung, SK Hynix and Micron publish no announcement reversing, extending or postponing their DDR3/DDR4 end-of-life and legacy-node shutdown plans before 6 January 2027.
DDR4 contract prices quoted for December 2026 are at or above their August 2026 level, rather than falling back toward the pre-shortage 2025 range.
Nanya Technology reports a consolidated gross margin above 15% in its Q3 2026 quarterly result and above 15% again in its Q4 2026 result.
CXMT brings no new DRAM fab or expansion phase online before 6 January 2027 that adds more than 50,000 wafer starts per month of DDR4/DDR5 capacity.
Winbond reports monthly revenue at least 15% above the year-earlier month in at least three of the months from September 2026 through January 2027.
Assumptions are written in English, because that is the language of the filings we check them against.
Каждый кристалл HBM, сердце ИИ-ускорителей, заметно менее плотный, чем обычная микросхема DRAM: та же ёмкость в битах занимает почти втрое больше площади кремния, потому что добавляются слои логики, соединения TSV и худший выход годных. В итоге, когда Samsung, SK Hynix и Micron перенаправляют всё больше пластинных мощностей на HBM и新 новейший DDR5, с рынка уходит непропорционально большая доля предложения обычной памяти.
Интерактивная причинно-следственная карта, график корзины против её рынка и полная хронология.
Открыть в Invesaro →This is analysis, not investment advice and not a recommendation to buy or sell anything. We publish it and track it in public, mistakes included. Any decision is yours and yours alone.